Samsung dévoile le cristal SRAM 256 Mo 3 nm
Lors de l'IEEE International Solid State Circuits Conference (ISSCC), Samsung a annoncé une nouvelle étape vers la réduction des normes technologiques. Il a dévoilé une puce SRAM de 256 Mbits, d'abord fabriquée à 3 nm.
Dans ce microcircuit, la technologie de transistor Gate All Around (GAAFET) a trouvé une application, destinée à remplacer la technologie FinFET utilisée aujourd'hui. Les premiers transistors GAAFET de 3 nanomètres au monde ont été fabriqués par le fabricant sud-coréen en janvier de l'année dernière.
La source rappelle qu'il existe deux options pour la technologie GAAFET. Dans l'un, les canaux sont réalisés sous la forme de "fils", et dans le second, qui a reçu son propre nom MBCFET Multi-Bridge Channel FET), les canaux se présentent sous la forme de "ponts" plats.
Le microcircuit décrit utilise la technologie MBCFET. La surface cristalline est de 56 mm². L'utilisation du MBCFET a permis une réduction significative de la consommation d'énergie par rapport à un microcircuit similaire basé sur des transistors FinFET.
Le nouveau procédé 3 nm devrait entrer en production de masse en 2022.