Samsung presenta il cristallo SRAM da 256 MB a 3 nm
Alla IEEE International Solid State Circuits Conference (ISSCC), Samsung ha annunciato un nuovo passo verso la riduzione degli standard tecnologici. Ha presentato un chip SRAM da 256 Mbit, fabbricato per la prima volta a 3 nm.
In questo microcircuito, la tecnologia dei transistor Gate All Around (GAAFET) ha trovato applicazione, destinata a sostituire la tecnologia FinFET utilizzata oggi. I primi transistor GAAFET a 3 nanometri al mondo sono stati prodotti dal produttore sudcoreano nel gennaio dello scorso anno.
La fonte ricorda che ci sono due opzioni per la tecnologia GAAFET. In uno, i canali sono realizzati sotto forma di "fili", e nel secondo, che ha ricevuto il proprio nome MBCFET Multi-Bridge Channel FET), i canali sono sotto forma di "ponti" piatti.
Il microcircuito descritto utilizza la tecnologia MBCFET. L'area del cristallo è di 56 mm². L'utilizzo di MBCFET ha consentito una significativa riduzione del consumo energetico rispetto a un microcircuito simile basato su transistor FinFET.
Il nuovo processo a 3 nm dovrebbe entrare in produzione di massa nel 2022.