Samsung lança cristal SRAM de 256 MB e 3 nm

Na Conferência Internacional de Circuitos de Estado Sólido IEEE (ISSCC), a Samsung anunciou uma nova etapa para reduzir os padrões de tecnologia. Ela revelou um chip SRAM de 256 Mbits, fabricado inicialmente a 3 nm.

Neste microcircuito, a tecnologia de transistor Gate All Around (GAAFET) encontrou aplicação, que se destina a substituir a tecnologia FinFET usada hoje. Os primeiros transistores GAAFET de 3 nanômetros do mundo foram fabricados pelo fabricante sul-coreano em janeiro do ano passado.

A fonte lembra que existem duas opções para a tecnologia GAAFET. Em um, os canais são feitos na forma de "fios", e no segundo, que recebeu o nome próprio MBCFET Multi-Bridge Channel FET), os canais são na forma de "pontes" planas.

O microcircuito descrito usa a tecnologia MBCFET. A área do cristal é de 56 mm². O uso de MBCFET permitiu uma redução significativa no consumo de energia em comparação com um microcircuito semelhante baseado em transistores FinFET.

Espera-se que o novo processo de 3nm entre em produção em massa em 2022.