Materiais aplicados anunciaram um avanço na tecnologia de metalização, para as normas 3 nm

A implementação de sete etapas tecnológicas em um sistema de vácuo duplicou para reduzir a resistência das conexões internas

Ao dominar as normas cada vez mais sutis, a diminuição do tamanho melhora as características do transistor, mas aumenta a resistência dos compostos internos, uma vez que é inversamente proporcional à sua seção transversal. Isso reduz o desempenho e aumenta o consumo de energia do microcircuito. Sem um avanço no campo da ciência dos materiais, a resistência dos compostos internos durante a transição das normas de 7 nm às normas de 3 nm aumentaria 10 vezes, reduzindo os benefícios da escala de transistores.

Para corrigir a situação, os materiais aplicados desenvolveram uma solução integrada de produção chamada Endura Copper Barrier Semente IMS. Em um sistema em condições de um alto vácuo, são realizadas sete diferentes processos tecnológicos: preparação de superfície, modificação de superfície a nível atômico, deposição de camada atômica seletiva (ALD), controle metrológico, pulverização a vácuo (PVD), precipitação química da fase gasosa ( CVD) e fusão de cobre. O uso de ALD seletivo em vez de conformal elimina uma barreira de alta resistência. A solução também inclui a etapa de fusão de cobre, na qual as lacunas estreitas são preenchidas devido ao efeito capilar. Como afirmado, a diminuição da resistência a contatos transversais aplicando a nova tecnologia atinge 50%.

Resta acrescentar que o sistema IMS da barreira de barreira de cobre de endura já é usado pelos principais clientes aplicados materiais.