Samsung pubblicherà SSD sulla nuova memoria flash nella seconda metà dell'anno. Stiamo parlando del ricordo della settima generazione

Samsung ha annunciato che nella seconda metà dell'anno, avrebbe mostrato il suo primo SSD di consumo in base alla memoria flash della settima generazione.

Questa memoria flash è assegnata da un design di 176 strati. Per il confronto, la sesta generazione V-Nand consisteva in 100 strati di cellule e la prima generazione era caratterizzata dalla presenza di 23 strati.

Samsung prevede una nuova generazione di memoria flash per soddisfare i requisiti non solo l'interfaccia PCIE 4.0, ma anche PCIE 5.0 a causa della larghezza di banda del sistema I / O in 2 GB / s.

Inoltre, la società ha già un chip funzionante della V-Nann di otto generazioni con oltre 200 strati di cellule.