
Micron beginnt mit dem Versand von 176-lagigem 3D-NAND-Blitz
Micron Technology hat die Einführung des weltweit ersten 176-lagigen 3D-NAND-Flash-Speichers angekündigt. Nach Angaben des Herstellers ermöglichte die Verwendung einer fortschrittlichen Architektur einen "radikalen Durchbruch", der nicht nur die Speicherdichte, sondern auch die Leistung erheblich steigerte. Der neue Speicher findet Anwendungen in Rechenzentrums-Speichern, intelligenten Peripheriegeräten und mobilen Geräten.
Die Neuheit stellt die fünfte Generation von 3D-NAND und die zweite Generation der RG-Architektur (Replacement-Gate) dar und ist die technologisch fortschrittlichste unter den auf dem Markt verfügbaren Entwicklungen. Im Vergleich zu Microns früherer Generation von 3D-NAND wurde die Lese- und Schreiblatenz um über 35% reduziert. Ein weiterer Vorteil ist das kompakte Design: Der 176-Lagen-Speicherchip...