A Samsung lançará uma produção de 3 nm antes do TSMC

Do ponto de vista da densidade dos transistores e do desempenho de 3 nm, o processo da Samsung é comparável ao processo TSMC de 5 nm e ao processo Intel de 4 nm e ao processo de tecnologia

No último briefing para investidores, a Samsung disse que a produção sob o processo de 3 nm do processo começará nas próximas semanas. Acontece que a Samsung ficará à frente do TSMC.

De acordo com o TSMC, o processo de 3 nm com a arquitetura FINFET será lançado na produção em massa na segunda metade do ano. Os analistas da indústria acreditam que, embora a Samsung afirme que o processo de 3 nm de processo está se aproximando da produção em massa, em termos de transistores e densidade de desempenho do 3 nm, o processo Samsung é comparado com o processo TSMC de 5 nm e o 4-nm Processo Intel.

Teoricamente, o processo de 3 nanômetros da Samsung é o mais recente, mas praticamente ainda está atrás do TSMC. A Samsung disse aos investidores que estava se preparando totalmente para lançar um processo de 3 nanômetros baseado no GAA no primeiro semestre deste ano. Nas oito semanas seguintes, o processo de produção em massa começará.

A Samsung afirma que, em comparação com o atual processo de arquitetura FINFET de 7 nm, novos chips de 3 nm podem operar em um ambiente com uma tensão baixa abaixo de 0,75 V. Isso reduzirá o consumo total de energia em 50%. Também melhorará o desempenho em 30% e reduzirá o tamanho do chip em 45%.

Ainda não se sabe quão alta será a porcentagem da produção de produtos de qualidade do processo de tecnologia Samsung de 3 nm. O processo Samsung de 4 nm possui um indicador muito baixo, que forçou os principais clientes a mudar para o TSMC. Segundo relatos do setor, a produção de produtos Samsung de qualidade no 3º processo é de apenas 10%, mas a Samsung não confirmou isso.

O TSMC também iniciou um processo de 2 nm mais avançado. Espera -se que a produção de teste comece em 2024 e a produção em massa esteja agendada para 2025.