Des chercheurs de Dresde développent une nouvelle structure OLED

Des chercheurs de l'Université technique de Dresde (TUD) ont développé une nouvelle structure OLED, qui a été complétée par des transistors à base transparente verticale (OPBT). La nouvelle structure est appelée «transistor électroluminescent à base de transistor organique» ou OPB-LET.

La nouvelle conception combine avec succès les fonctions d'un élément de commutation à haut rendement et d'un émetteur organique. Les transistors OLED (OLET) sont des dispositifs tripolaires dans lesquels un transistor à couche mince est combiné avec une LED. Contrairement aux OLET précédentes, OPB-LET offre des performances élevées grâce à une électrode de référence perméable située au centre de l'appareil. L'électrode forme une microcavité optique caractéristique qui contrôle l'injection et le transport des porteurs de charge.

Les chercheurs rapportent que la structure offre un rendement élevé (jusqu'à 24,6% EQE), une luminosité élevée (jusqu'à 12513 cd / m2) et une faible tension de commande (moins de 5,0 V). Ceci est comparable aux appareils OLED modernes, mais l'OPB-LET dispose déjà de transistors de commande basse tension intégrés.