Samsung stellt 256 MB 3-nm-SRAM-Kristall vor

Auf der IEEE International Solid State Circuits Conference (ISSCC) kündigte Samsung einen neuen Schritt zur Reduzierung der Technologiestandards an. Es wurde ein 256-Mbit-SRAM-Chip vorgestellt, der erstmals bei 3 nm hergestellt wurde.

In dieser Mikroschaltung hat die Gate-All-Around-Transistortechnologie (GAAFET) Anwendung gefunden, die die heute verwendete FinFET-Technologie ersetzen soll. Die weltweit ersten 3-Nanometer-GAAFET-Transistoren wurden im Januar letzten Jahres vom südkoreanischen Hersteller hergestellt.

Die Quelle erinnert daran, dass es zwei Optionen für die GAAFET-Technologie gibt. In einem Fall werden die Kanäle in Form von "Drähten" hergestellt, und in dem zweiten Fall, der seinen eigenen Namen MBCFET (Multi-Bridge Channel FET) erhielt, liegen die Kanäle in Form von flachen "Brücken" vor.

Die beschriebene Mikroschaltung verwendet die MBCFET-Technologie. Die Kristallfläche beträgt 56 mm². Die Verwendung von MBCFET ermöglichte eine signifikante Reduzierung des Stromverbrauchs im Vergleich zu einer ähnlichen Mikroschaltung auf Basis von FinFET-Transistoren.

Das neue 3-nm-Verfahren wird voraussichtlich 2022 in Serie gehen.