Micron beginnt mit dem Versand von 176-lagigem 3D-NAND-Blitz

Micron Technology hat die Einführung des weltweit ersten 176-lagigen 3D-NAND-Flash-Speichers angekündigt. Nach Angaben des Herstellers ermöglichte die Verwendung einer fortschrittlichen Architektur einen "radikalen Durchbruch", der nicht nur die Speicherdichte, sondern auch die Leistung erheblich steigerte. Der neue Speicher findet Anwendungen in Rechenzentrums-Speichern, intelligenten Peripheriegeräten und mobilen Geräten.

Die Neuheit stellt die fünfte Generation von 3D-NAND und die zweite Generation der RG-Architektur (Replacement-Gate) dar und ist die technologisch fortschrittlichste unter den auf dem Markt verfügbaren Entwicklungen. Im Vergleich zu Microns früherer Generation von 3D-NAND wurde die Lese- und Schreiblatenz um über 35% reduziert. Ein weiterer Vorteil ist das kompakte Design: Der 176-Lagen-Speicherchip ist etwa 30% kleiner als das branchenweit beste Angebot der Konkurrenz. Damit eignet sich der neue Speicher ideal für Anwendungen, bei denen ein kleiner Formfaktor wichtig ist.

Das 3D-NAND-Mikron der fünften Generation bietet außerdem eine branchenführende Datenübertragungsrate von 1600 MT / s auf dem ONFI-Bus (Open NAND Flash Interface), 33% mehr als die 1200 MT / s, die mit dem 96-Layer und dem 96-Layer erzielt werden 128-lagiger 3D-NAND-Mikron-Speicher früherer Generationen.

Micron arbeitet mit Vertretern der Industrie zusammen, um die Einführung des neuen Speichers zu beschleunigen. Es wird bereits in SSDs von Crucial Consumer verwendet.